2.表面敷層型屏蔽材料
       通過(guò)貼金屬箔、化學(xué)鍍、真空鍍、噴涂等方法, 對(duì)絕緣體表 面進(jìn)行導(dǎo)電化處理而達(dá)到屏蔽效果, 屬于反射損耗為主的屏蔽 材料。貼金屬箔即把鎳箔、銅箔、鋁箔、鐵箔、不銹鋼箔等與塑 料薄片、薄板等用粘合劑連在一起, 然后再壓制成型, 工藝較簡(jiǎn) 單, 屏蔽效果可達(dá)60 ～ 70dB。西班牙J. A. Pom po so等開發(fā) 出一種以PPy 混合物為基體的導(dǎo)電熱溶性粘合劑(ICHMAs), 顯示很好的EM I屏蔽效能, 同時(shí)又保存著傳統(tǒng)粘合劑的優(yōu)良 性能?；瘜W(xué)鍍和電鍍法, 主要是將金屬N i或Cu等鍍覆到材料 的表面, 屏蔽效果可達(dá)60 ～ 120dB, 缺點(diǎn)是污染嚴(yán)重, 不符合綠 色環(huán)保。噴涂法是用電弧、火焰噴涂等方式在材料表面制備 鋅、鋁、銅等金屬層, 厚度約為70μm, SE 可達(dá)70dB, 缺點(diǎn)是金 屬層和基體之間結(jié)合不牢易脫落。 真空鍍是采用PVD技術(shù)使金屬氣化, 然后在基材表面形 成金屬鍍層, 國(guó)內(nèi)外在這方面的公開交流的資料不多。目前真 空鍍A l在30 ～ 1000MH z時(shí), SE 可達(dá)50 ～ 70dB。國(guó)內(nèi)吉林大 學(xué)張麗芳等研究了磁控濺射法在塑料基片H IPS 沉積Cu / N i薄膜的工藝, 在10 ～ 106kH z范圍內(nèi), 銅層為1. 0 ～ 4. 0μm 時(shí), SE 為80～ 110dB, 試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)薄膜的屏蔽主要取決于反射衰 減, 吸收衰減很小, 并認(rèn)為多的反射面數(shù)可以獲得高屏蔽效果。 美國(guó)E. Savrun等人用濺射的方法在ZnS 上沉積一層WS i2 ∕ 0. 7μm 的薄膜, 在400MH z ～ 18GH z的屏蔽性能效果良好, 其中在2GH z屏蔽效能可達(dá)53dB。2000年中科院李秀榮等采用陰極磁控濺射法在普通厚玻璃上制備用于高頻電磁屏蔽 的ITO 透明導(dǎo)電膜, 研究了膜層的結(jié)晶程度和晶粒大小對(duì)膜層 性能的影響, 結(jié)果表明方塊電阻在5 ～ 40Ψ /□范圍內(nèi), 在8 ～ 18GH z高頻范圍內(nèi)電磁波的反射率達(dá)88. 5%。

2018-03-13